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半导体物理学

时间:2011-06-30 16:55:22  来源:  作者:

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    本教材第一版于1979年12月由国防工业出版社出版。以后,被推荐列入原电子工业部教材办公室组织编导的1982-1985年、1986-1990年、1991-1995年年度的高等学校工科电子类专业教材编审出版规划,并由《电子材料与固体器件》教材编审委员会《半导体物理与器件》编审组负责编审、推荐出版。此后再次被推荐为国家级重点教材列入电子工业部的《1996-2000年全国电子信息类专业教材编审出版规划》,并由微电子技术专业教学指导委员会负责编审、推荐出版。
     本教材共13章,其中主要内容为:半导体的晶格结构和电子状态;杂质和缺陷能级;载流子的分布统计;载流子的散射及电导问题;非平衡载流子的产生、复合及其运动规律;半导体的表面和界面-包括pn结,金属与半导体接触,半导体表面及MIS结构,半导体异质结构,半导体的光、热、磁、压阻等物理现象和非晶半导体。各章末都附有习题和参考资料供教师、学生选用。
     本次修订由朱秉升、罗晋生主持。为了适应半导体材料与微电子技术的发展特别是化合物半导体方面的进展,本次修订主要增加或深化了如下内容:宽禁带半导体材料;Si-Ge合金的能带;半导体异质结pn结的电流电压特性注入特性;半导体异质结量子阱结构及其电子能态与特性;半导体应变异质结。
    使用本教材时,主要以前9章为主,第10章至第13章视各校情况选用。教学中第1章的1.1~1.4节视学生是否学过固体物理学中的能带酌情处理,pn结第一章着重在物理过程的分析,辅以必要的数学推导,至于在生产实际联系密切的内容是属于晶体管原理课程所解决的问题。

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